GLOBALFOUNDRIES为存储器技术设置了新的标准

(文章滥觞:EEWORLD)

无论是条记本电脑的固态硬盘、物联网/汽车硬件、基于边缘的人工智能照样嵌入式非易掉性内存(eNVM),它们都是这些利用法度榜样和许多其他利用法度榜样的症构造件。实现这种能力的主要技巧平日不是NOR flash (eFlash),然则eFlash面临的一个问题是若何在28nm节点下经济地进行扩展。这便是为什么近来GLOBALFOUNDRIES (GF)的一份新闻稿引起了我的留意。

嵌入式磁阻非易掉性存储器(eMRAM)是一个很繁杂的观点。我做了一些钻研,MRAM是在1974年问市,当时IBM开拓了一种称为磁地道结(MTJ)的组件。MRAM可以将SRAM的高速、DRAM存储容量和eFlash在低功耗下的非挥发性结合起来,是以28nm以下技巧的临盆嵌入式实现是一件大年夜事。

首先,先容一下实现技巧。22FDX是一款22nm全光敏光纤22FDX,采纳GF的耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)技巧。FD-SOI供给了靠近FinFET的机能,而没有FinFET的设计和制造繁杂性。

GLOBALFOUNDRIES高档副总裁兼汽车和工业多市场总经理Mike Hogan表示:“我们将继承致力于经由过程强大年夜的、功能富厚的办理规划,使我们的FDX平台与众不合,这些办理规划使我们的客户能够为高机能和低功耗的利用法度榜样开拓立异产品。”“我们的差异化eMRAM,支配在该行业最先辈的社平台,供给了一个环球无双的结合高机能射频,低功率逻辑和集成电源治理在一个轻易积分eMRAM办理规划,使我们的客户能够供给新一代的超低功耗单片机和连接物联网利用法度榜样。”

我扣问了一位汽车、工业和多市场奇迹部的高档主管Martin Mason,以懂得了更多关于他们筹备投产的eMRAM的细节。他先容了一个异常严格的设备剖断历程,包括6E-6范围内的偏差率,5X焊料回流后的靠得住数据保留,工业级和二级汽车利用的备用数据保留,以及多重磁抗测试。MarTIn:“22FDX与嵌入式MRAM是智能物联网(IIoT),可穿着设备,MCU和先辈的汽车产品的一个使能技巧平台。我们有一个像flash一样有天资的eMRAM制造流程和我们单一MRAM代工厂,以及多个客户端运行MRAM测试芯片和许多硅认证的MRAM宏(4Mb-48Mb)。

与其他eMRAM办理规划不合,我们构建的GFs 22FDX MRAM是eMRAM和Flashvery有很强的鲁棒机能,事情温度在-40C-125C,高历久性和长数据保存期,并且经由过程了5项严格的实际(5x)焊料回流测试,同时维持了领先的磁抗能力。GF eMRAM与eFLASH异常相似——只是更好,与传统的嵌入式Flash技巧比拟,它具有更快的读写光阴和更少的掩模计数。

他们正在与多家客户相助,计划在2020年应用22FDX的临盆就绪的eMRAM新技巧进行多台临盆。GF在德国德累斯顿的第一工厂拥有最先辈的300mm临盆线,将为这些项目供给量产支持。他们还申报了定制的设计套件,包括嵌入式,范围从4兆到48兆比特的硅验证的MRAM宏,以及MRAM内置自测试支持的选项。

瞻望未来,作为公司高档eNVM路线图的一部分,GF盼望其可扩展的eMRAM可以在FinFET和未来的FDX平台上应用。假如你必要一个低于28nm的eFlash选择,这绝对是值得斟酌的。

(责任编辑:fqj)

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